
Número da peça do fabricante | GT60N321(Q) |
---|---|
Fabricante / Marca | Toshiba Semiconductor and Storage |
Quantidade disponível | 30880 Pieces |
Preço unitário | Quote by Email ([email protected]) |
Descrição breve | IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH |
Categoria de Produto | Transistores - IGBTs - Único |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tempo de entrega | 1-2 Days |
Código de Data (D / C) | New |
Download da folha de dados | GT60N321(Q).pdf |
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- Número da peça
- GT60N321(Q)
- Status de produção (ciclo de vida)
- Contact us
- Tempo de espera do fabricante
- 6-8 weeks
- Condição
- New & Unused, Original Sealed
- Forma de envio
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Status da Parte
- Obsolete
- Tipo IGBT
-
- Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.)
- 1000V
- Current - Collector (Ic) (Max)
- 60A
- Corrente - Coletor pulsado (Icm)
- 120A
- Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
- 2.8V @ 15V, 60A
- Power - Max
- 170W
- Mudança de energia
-
- Tipo de entrada
- Standard
- Carga do portão
-
- Td (ligado / desligado) @ 25 ° C
- 330ns/700ns
- Condição de teste
-
- Tempo de recuperação inversa (TRR)
- 2.5µs
- Temperatura de operação
- 150°C (TJ)
- Tipo de montagem
- Through Hole
- Pacote / Caso
- TO-3PL
- Pacote de dispositivos de fornecedores
- TO-3P(LH)
- Peso
- Contact us
- Aplicação
- Email for details
- Peça de reposição
- GT60N321(Q)
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Número da peça | Fabricante | Descrição |
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