
codice articolo del costruttore | GT60N321(Q) |
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Produttore / Marca | Toshiba Semiconductor and Storage |
quantité disponible | 30880 Pieces |
Prezzo unitario | Quote by Email ([email protected]) |
Breve descrizione | IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH |
categoria di prodotto | Transistor - IGBT - Singoli |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tempo di consegna | 1-2 Days |
Data Code (D / C) | New |
Scarica il foglio dati | GT60N321(Q).pdf |
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- Numero di parte
- GT60N321(Q)
- Stato di produzione (ciclo di vita)
- Contact us
- Tempo di consegna del produttore
- 6-8 weeks
- Condizione
- New & Unused, Original Sealed
- Modo di spedizione
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Stato parte
- Obsolete
- Tipo IGBT
-
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
- 1000V
- Corrente - Collector (Ic) (Max)
- 60A
- Corrente - Collector Pulsed (Icm)
- 120A
- Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
- 2.8V @ 15V, 60A
- Potenza - Max
- 170W
- Cambiare energia
-
- Tipo di input
- Standard
- Carica del cancello
-
- Td (acceso / spento) @ 25 ° C
- 330ns/700ns
- Condizione di test
-
- Tempo di recupero inverso (trr)
- 2.5µs
- temperatura di esercizio
- 150°C (TJ)
- Tipo di montaggio
- Through Hole
- Pacchetto / caso
- TO-3PL
- Pacchetto dispositivo fornitore
- TO-3P(LH)
- Peso
- Contact us
- Applicazione
- Email for details
- Pezzo di ricambio
- GT60N321(Q)
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Numero di parte | fabbricante | Descrizione |
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GT60N321(Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH |
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