
Référence fabricant | GT60N321(Q) |
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Fabricant / marque | Toshiba Semiconductor and Storage |
quantité disponible | 30880 Pieces |
Prix unitaire | Quote by Email ([email protected]) |
Brève description | IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH |
catégorie de produit | Transistors - IGBT - Simples |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Heure de livraison | 1-2 Days |
Code de date (D / C) | New |
Télécharger la fiche technique | GT60N321(Q).pdf |
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- Numéro d'article
- GT60N321(Q)
- Statut de production (cycle de vie)
- Contact us
- Délai d'exécution du fabricant
- 6-8 weeks
- État
- New & Unused, Original Sealed
- Manière d'expédition
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- État de la pièce
- Obsolete
- Type d'IGBT
-
- Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)
- 1000V
- Courant - Collecteur (Ic) (Max)
- 60A
- Courant - Collecteur pulsé (Icm)
- 120A
- Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
- 2.8V @ 15V, 60A
- Puissance - Max
- 170W
- Échange d'énergie
-
- Type d'entrée
- Standard
- Charge de porte
-
- Td (marche / arrêt) à 25 ° C
- 330ns/700ns
- Condition de test
-
- Temps de récupération inverse (trr)
- 2.5µs
- Température de fonctionnement
- 150°C (TJ)
- Type de montage
- Through Hole
- Paquet / cas
- TO-3PL
- Package de périphérique fournisseur
- TO-3P(LH)
- Poids
- Contact us
- Application
- Email for details
- Pièce de rechange
- GT60N321(Q)
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Numéro d'article | Fabricant | La description |
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GT60N321(Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH |
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