GT10J312(Q) Toshiba Semiconductor and Storage Distribuidor
| Número da peça do fabricante | GT10J312(Q) |
|---|---|
| Fabricante / Marca | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Quantidade disponível | 170230 Pieces |
| Preço unitário | Quote by Email ([email protected]) |
| Descrição breve | IGBT 600V 10A 60W TO220SM |
| Categoria de Produto | Transistores - IGBTs - Único |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de Data (D / C) | New |
| Download da folha de dados | GT10J312(Q).pdf |
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- Número da peça
- GT10J312(Q)
- Status de produção (ciclo de vida)
- Contact us
- Tempo de espera do fabricante
- 6-8 weeks
- Condição
- New & Unused, Original Sealed
- Forma de envio
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Status da Parte
- Obsolete
- Tipo IGBT
-
- Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.)
- 600V
- Current - Collector (Ic) (Max)
- 10A
- Corrente - Coletor pulsado (Icm)
- 20A
- Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
- 2.7V @ 15V, 10A
- Power - Max
- 60W
- Mudança de energia
-
- Tipo de entrada
- Standard
- Carga do portão
-
- Td (ligado / desligado) @ 25 ° C
- 400ns/400ns
- Condição de teste
- 300V, 10A, 100 Ohm, 15V
- Tempo de recuperação inversa (TRR)
- 200ns
- Temperatura de operação
- 150°C (TJ)
- Tipo de montagem
- Surface Mount
- Pacote / Caso
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Pacote de dispositivos de fornecedores
- TO-220SM
- Peso
- Contact us
- Aplicação
- Email for details
- Peça de reposição
- GT10J312(Q)
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