Hersteller-TeilenummerGT10J312(Q)
Hersteller / MarkeToshiba Semiconductor and Storage
verfügbare Anzahl170230 Pieces
StückpreisQuote by Email ([email protected])
Kurze BeschreibungIGBT 600V 10A 60W TO220SM
ProduktkategorieTransistoren - IGBTs - Einzeln
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
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Artikelnummer
GT10J312(Q)
Produktionsstatus (Lebenszyklus)
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Hersteller lieferzeit
6-8 weeks
Bedingung
New & Unused, Original Sealed
Lieferweg
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Teilstatus
Obsolete
IGBT-Typ
-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)
10A
Strom - Kollektorimpuls (Icm)
20A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 10A
Leistung max
60W
Energie wechseln
-
Eingabetyp
Standard
Gate Ladung
-
Td (ein / aus) bei 25 ° C
400ns/400ns
Testbedingung
300V, 10A, 100 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)
200ns
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / Fall
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Lieferantengerätepaket
TO-220SM
Gewicht
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Anwendung
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Ersatzteil
GT10J312(Q)

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