GT10J312(Q) Toshiba Semiconductor and Storage Distributore
| codice articolo del costruttore | GT10J312(Q) |
|---|---|
| Produttore / Marca | Toshiba Semiconductor and Storage |
| quantité disponible | 170230 Pieces |
| Prezzo unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descrizione | IGBT 600V 10A 60W TO220SM |
| categoria di prodotto | Transistor - IGBT - Singoli |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | GT10J312(Q).pdf |
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- Numero di parte
- GT10J312(Q)
- Stato di produzione (ciclo di vita)
- Contact us
- Tempo di consegna del produttore
- 6-8 weeks
- Condizione
- New & Unused, Original Sealed
- Modo di spedizione
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Stato parte
- Obsolete
- Tipo IGBT
-
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
- 600V
- Corrente - Collector (Ic) (Max)
- 10A
- Corrente - Collector Pulsed (Icm)
- 20A
- Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
- 2.7V @ 15V, 10A
- Potenza - Max
- 60W
- Cambiare energia
-
- Tipo di input
- Standard
- Carica del cancello
-
- Td (acceso / spento) @ 25 ° C
- 400ns/400ns
- Condizione di test
- 300V, 10A, 100 Ohm, 15V
- Tempo di recupero inverso (trr)
- 200ns
- temperatura di esercizio
- 150°C (TJ)
- Tipo di montaggio
- Surface Mount
- Pacchetto / caso
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Pacchetto dispositivo fornitore
- TO-220SM
- Peso
- Contact us
- Applicazione
- Email for details
- Pezzo di ricambio
- GT10J312(Q)
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