Número da peça do fabricanteTJ8S06M3L(T6L1,NQ)
Fabricante / MarcaToshiba Semiconductor and Storage
Quantidade disponível142810 Pieces
Preço unitárioQuote by Email ([email protected])
Descrição breveMOSFET P-CH 60V 8A DPAK-3
Categoria de ProdutoTransistores - FETs, MOSFETs - Single
Status sem chumbo / status de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega1-2 Days
Código de Data (D / C)New
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Número da peça
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
Status de produção (ciclo de vida)
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Tempo de espera do fabricante
6-8 weeks
Condição
New & Unused, Original Sealed
Forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Status da Parte
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
104 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
19nC @ 10V
Vgs (Max)
+10V, -20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
890pF @ 10V
FET Feature
-
Dissipação de energia (máx.)
27W (Tc)
Temperatura de operação
175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos de fornecedores
DPAK+
Pacote / Caso
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso
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Aplicação
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Peça de reposição
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

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Número da peça Fabricante Descrição
TJ8S06M3L(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET P-CH 60V 8A DPAK-3