Hersteller-TeilenummerTJ8S06M3L(T6L1,NQ)
Hersteller / MarkeToshiba Semiconductor and Storage
verfügbare Anzahl142810 Pieces
StückpreisQuote by Email ([email protected])
Kurze BeschreibungMOSFET P-CH 60V 8A DPAK-3
ProduktkategorieTransistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
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Artikelnummer
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
Produktionsstatus (Lebenszyklus)
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Hersteller lieferzeit
6-8 weeks
Bedingung
New & Unused, Original Sealed
Lieferweg
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Teilstatus
Active
FET Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C
8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
104 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
19nC @ 10V
Vgs (Max)
+10V, -20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
890pF @ 10V
FET-Eigenschaft
-
Verlustleistung (Max)
27W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Lieferantengerätepaket
DPAK+
Paket / Fall
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht
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Anwendung
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Ersatzteil
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

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Artikelnummer Hersteller Beschreibung
TJ8S06M3L(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET P-CH 60V 8A DPAK-3