HN3C10FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Distribuidor
| Número da peça do fabricante | HN3C10FUTE85LF |
|---|---|
| Fabricante / Marca | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Quantidade disponível | 32710 Pieces |
| Preço unitário | Quote by Email ([email protected]) |
| Descrição breve | TRANSISTOR NPN US6 |
| Categoria de Produto | Transistores - Bipolar (BJT) - RF |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de Data (D / C) | New |
| Download da folha de dados | HN3C10FUTE85LF.pdf |
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- Número da peça
- HN3C10FUTE85LF
- Status de produção (ciclo de vida)
- Contact us
- Tempo de espera do fabricante
- 6-8 weeks
- Condição
- New & Unused, Original Sealed
- Forma de envio
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Status da Parte
- Active
- Tipo de transistor
- 2 NPN (Dual)
- Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.)
- 12V
- Frequência - Transição
- 7GHz
- Figura de ruído (dB Typ @ f)
- 1.1dB @ 1GHz
- Ganho
- 11.5dB
- Power - Max
- 200mW
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
- 80 @ 20mA, 10V
- Current - Collector (Ic) (Max)
- 80mA
- Temperatura de operação
-
- Tipo de montagem
- Surface Mount
- Pacote / Caso
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Pacote de dispositivos de fornecedores
- US6
- Peso
- Contact us
- Aplicação
- Email for details
- Peça de reposição
- HN3C10FUTE85LF
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| Número da peça | Fabricante | Descrição |
|---|---|---|
| HN3C10FUTE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANSISTOR NPN US6 |