HN3C10FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Distributeur
| Référence fabricant | HN3C10FUTE85LF |
|---|---|
| Fabricant / marque | Toshiba Semiconductor and Storage |
| quantité disponible | 32710 Pieces |
| Prix unitaire | Quote by Email ([email protected]) |
| Brève description | TRANSISTOR NPN US6 |
| catégorie de produit | Transistors - Bipolaires (BJT) - RF |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | HN3C10FUTE85LF.pdf |
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- Numéro d'article
- HN3C10FUTE85LF
- Statut de production (cycle de vie)
- Contact us
- Délai d'exécution du fabricant
- 6-8 weeks
- État
- New & Unused, Original Sealed
- Manière d'expédition
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- État de la pièce
- Active
- Type de transistor
- 2 NPN (Dual)
- Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)
- 12V
- Fréquence - Transition
- 7GHz
- Figure de bruit (dB Typ @ f)
- 1.1dB @ 1GHz
- Gain
- 11.5dB
- Puissance - Max
- 200mW
- Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
- 80 @ 20mA, 10V
- Courant - Collecteur (Ic) (Max)
- 80mA
- Température de fonctionnement
-
- Type de montage
- Surface Mount
- Paquet / cas
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Package de périphérique fournisseur
- US6
- Poids
- Contact us
- Application
- Email for details
- Pièce de rechange
- HN3C10FUTE85LF
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Mots-clés associés pour "HN3C"
| Numéro d'article | Fabricant | La description |
|---|---|---|
| HN3C10FUTE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANSISTOR NPN US6 |