Référence fabricantHN3C10FUTE85LF
Fabricant / marqueToshiba Semiconductor and Storage
quantité disponible32710 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionTRANSISTOR NPN US6
catégorie de produitTransistors - Bipolaires (BJT) - RF
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Numéro d'article
HN3C10FUTE85LF
Statut de production (cycle de vie)
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Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Active
Type de transistor
2 NPN (Dual)
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)
12V
Fréquence - Transition
7GHz
Figure de bruit (dB Typ @ f)
1.1dB @ 1GHz
Gain
11.5dB
Puissance - Max
200mW
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 20mA, 10V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)
80mA
Température de fonctionnement
-
Type de montage
Surface Mount
Paquet / cas
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package de périphérique fournisseur
US6
Poids
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Application
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Pièce de rechange
HN3C10FUTE85LF

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Numéro d'article Fabricant La description
HN3C10FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage TRANSISTOR NPN US6