Número da peça do fabricanteRGT8NS65DGTL
Fabricante / MarcaRohm Semiconductor
Quantidade disponível37500 Pieces
Preço unitárioQuote by Email ([email protected])
Descrição breveIGBT 650V 8A 65W TO-263S
Categoria de ProdutoTransistores - IGBTs - Único
Status sem chumbo / status de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega1-2 Days
Código de Data (D / C)New
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Número da peça
RGT8NS65DGTL
Status de produção (ciclo de vida)
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Tempo de espera do fabricante
6-8 weeks
Condição
New & Unused, Original Sealed
Forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Status da Parte
Active
Tipo IGBT
Trench Field Stop
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.)
650V
Current - Collector (Ic) (Max)
8A
Corrente - Coletor pulsado (Icm)
12A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 4A
Power - Max
65W
Mudança de energia
-
Tipo de entrada
Standard
Carga do portão
13.5nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C
17ns/69ns
Condição de teste
400V, 4A, 50 Ohm, 15V
Tempo de recuperação inversa (TRR)
40ns
Temperatura de operação
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Caso
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacote de dispositivos de fornecedores
LPDS (TO-263S)
Peso
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Aplicação
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Peça de reposição
RGT8NS65DGTL

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Número da peça Fabricante Descrição
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