Hersteller-TeilenummerRGT8NS65DGTL
Hersteller / MarkeRohm Semiconductor
verfügbare Anzahl37500 Pieces
StückpreisQuote by Email ([email protected])
Kurze BeschreibungIGBT 650V 8A 65W TO-263S
ProduktkategorieTransistoren - IGBTs - Einzeln
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
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Artikelnummer
RGT8NS65DGTL
Produktionsstatus (Lebenszyklus)
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Hersteller lieferzeit
6-8 weeks
Bedingung
New & Unused, Original Sealed
Lieferweg
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Teilstatus
Active
IGBT-Typ
Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
650V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)
8A
Strom - Kollektorimpuls (Icm)
12A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 4A
Leistung max
65W
Energie wechseln
-
Eingabetyp
Standard
Gate Ladung
13.5nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C
17ns/69ns
Testbedingung
400V, 4A, 50 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)
40ns
Betriebstemperatur
-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / Fall
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Lieferantengerätepaket
LPDS (TO-263S)
Gewicht
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Anwendung
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Ersatzteil
RGT8NS65DGTL

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Artikelnummer Hersteller Beschreibung
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