Número da peça do fabricanteAPTSM120AM14CD3AG
Fabricante / MarcaMicrosemi Corporation
Quantidade disponível94840 Pieces
Preço unitárioQuote by Email ([email protected])
Descrição brevePOWER MODULE - SIC
Categoria de ProdutoTransistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Status sem chumbo / status de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega1-2 Days
Código de Data (D / C)New
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Número da peça
APTSM120AM14CD3AG
Status de produção (ciclo de vida)
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Tempo de espera do fabricante
6-8 weeks
Condição
New & Unused, Original Sealed
Forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Status da Parte
Active
Tipo FET
2 N-Channel (Dual), Schottky
FET Feature
Silicon Carbide (SiC)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1200V (1.2kV)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
337A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11 mOhm @ 180A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 9mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
1224nC @ 20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
23000pF @ 1000V
Power - Max
2140W
Temperatura de operação
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Chassis Mount
Pacote / Caso
Module
Pacote de dispositivos de fornecedores
Module
Peso
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Aplicação
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Peça de reposição
APTSM120AM14CD3AG

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