APTSM120AM14CD3AG Microsemi Corporation Distributore
| codice articolo del costruttore | APTSM120AM14CD3AG |
|---|---|
| Produttore / Marca | Microsemi Corporation |
| quantité disponible | 94840 Pieces |
| Prezzo unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descrizione | POWER MODULE - SIC |
| categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | APTSM120AM14CD3AG.pdf |
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- Numero di parte
- APTSM120AM14CD3AG
- Stato di produzione (ciclo di vita)
- Contact us
- Tempo di consegna del produttore
- 6-8 weeks
- Condizione
- New & Unused, Original Sealed
- Modo di spedizione
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Stato parte
- Active
- Tipo FET
- 2 N-Channel (Dual), Schottky
- Caratteristica FET
- Silicon Carbide (SiC)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 1200V (1.2kV)
- Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
- 337A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 11 mOhm @ 180A, 20V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 3V @ 9mA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 1224nC @ 20V
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 23000pF @ 1000V
- Potenza - Max
- 2140W
- temperatura di esercizio
- -40°C ~ 175°C (TJ)
- Tipo di montaggio
- Chassis Mount
- Pacchetto / caso
- Module
- Pacchetto dispositivo fornitore
- Module
- Peso
- Contact us
- Applicazione
- Email for details
- Pezzo di ricambio
- APTSM120AM14CD3AG
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| Numero di parte | fabbricante | Descrizione |
|---|---|---|
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| APTSM120AM09CD3AG | Microsemi Corporation | MOSFET 2 N-CH 1200V 337A MODULE |
| APTSM120AM14CD3AG | Microsemi Corporation | POWER MODULE - SIC |
| APTSM120AM25CT3AG | Microsemi Corporation | POWER MODULE - SIC |
| APTSM120AM55CT1AG | Microsemi Corporation | POWER MODULE - SIC |
| APTSM120TAM33CTPAG | Microsemi Corporation | POWER MODULE - SIC |