DMN80H2D0SCTI Diodes Incorporated Distribuidor
Número da peça do fabricante | DMN80H2D0SCTI |
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Fabricante / Marca | Diodes Incorporated |
Quantidade disponível | 86040 Pieces |
Preço unitário | Quote by Email ([email protected]) |
Descrição breve | MOSFET N-CH 800V 7A ITO220AB |
Categoria de Produto | Transistores - FETs, MOSFETs - Single |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tempo de entrega | 1-2 Days |
Código de Data (D / C) | New |
Download da folha de dados | DMN80H2D0SCTI.pdf |
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- Número da peça
- DMN80H2D0SCTI
- Status de produção (ciclo de vida)
- Contact us
- Tempo de espera do fabricante
- 6-8 weeks
- Condição
- New & Unused, Original Sealed
- Forma de envio
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Status da Parte
- Active
- Tipo FET
- N-Channel
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
- 800V
- Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
- 7A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 2 Ohm @ 2.5A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 35.4nC @ 10V
- Vgs (Max)
- ±30V
- Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 1253pF @ 25V
- FET Feature
-
- Dissipação de energia (máx.)
- 41W (Tc)
- Temperatura de operação
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de montagem
- Through Hole
- Pacote de dispositivos de fornecedores
- ITO-220AB
- Pacote / Caso
- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
- Peso
- Contact us
- Aplicação
- Email for details
- Peça de reposição
- DMN80H2D0SCTI
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Número da peça | Fabricante | Descrição |
---|---|---|
DMN80H2D0SCTI | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 800V 7A ITO220AB |
DMN886 | SAMSUNG | SAMSUNG orginal components |