DMN80H2D0SCTI Diodes Incorporated Verteiler
| Hersteller-Teilenummer | DMN80H2D0SCTI |
|---|---|
| Hersteller / Marke | Diodes Incorporated |
| verfügbare Anzahl | 86040 Pieces |
| Stückpreis | Quote by Email ([email protected]) |
| Kurze Beschreibung | MOSFET N-CH 800V 7A ITO220AB |
| Produktkategorie | Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Lieferzeit | 1-2 Days |
| Datumscode (D / C) | New |
| Datenblatt herunterladen | DMN80H2D0SCTI.pdf |
Bitte füllen Sie das untenstehende Anfrageformular aus, wir werden Ihnen das Angebot für DMN80H2D0SCTI innerhalb von 24 Stunden.
- Artikelnummer
- DMN80H2D0SCTI
- Produktionsstatus (Lebenszyklus)
- Contact us
- Hersteller lieferzeit
- 6-8 weeks
- Bedingung
- New & Unused, Original Sealed
- Lieferweg
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Teilstatus
- Active
- FET Typ
- N-Channel
- Technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain auf Source-Spannung (Vdss)
- 800V
- Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C
- 7A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
- 2 Ohm @ 2.5A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
- 35.4nC @ 10V
- Vgs (Max)
- ±30V
- Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
- 1253pF @ 25V
- FET-Eigenschaft
-
- Verlustleistung (Max)
- 41W (Tc)
- Betriebstemperatur
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart
- Through Hole
- Lieferantengerätepaket
- ITO-220AB
- Paket / Fall
- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
- Gewicht
- Contact us
- Anwendung
- Email for details
- Ersatzteil
- DMN80H2D0SCTI
Verwandte Komponenten von Diodes Incorporated
,TO-226_straightlead.jpg "ZTX601ASTZ")
In Verbindung stehende Schlüsselwörter "DMN8"
| Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung |
|---|---|---|
| DMN80H2D0SCTI | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 800V 7A ITO220AB |
| DMN886 | SAMSUNG | SAMSUNG orginal components |