製造業者識別番号RN1131MFV(TL3,T)
メーカー/ブランドToshiba Semiconductor and Storage
利用可能な数量111020 Pieces
単価Quote by Email ([email protected])
簡単な説明TRANSISTOR PREBIAS NPN 0.15W VESM
製品カテゴリトランジスタ - バイポーラ(BJT) - シングル、プリバイアス
鉛フリーステータス/ RoHSステータスLead free / RoHS Compliant
耐湿性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード RN1131MFV(TL3,T).pdf

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品番
RN1131MFV(TL3,T)
生産状況(ライフサイクル)
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メーカーリードタイム
6-8 weeks
調子
New & Unused, Original Sealed
発送方法
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
部品ステータス
Active
トランジスタタイプ
NPN - Pre-Biased
電流 - コレクタ(Ic)(最大)
100mA
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大)
50V
Resistor - Base (R1)
100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
-
DC電流利得(hFE)(最小)@ Ic、Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce飽和(最大)@Ib、Ic
300mV @ 500µA, 5mA
電流 - コレクタ遮断(最大)
100nA (ICBO)
周波数 - 遷移
-
電力 - 最大
150mW
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
SOT-723
サプライヤデバイスパッケージ
VESM
重量
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応用
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交換部品
RN1131MFV(TL3,T)

によって作られた関連部品 Toshiba Semiconductor and Storage

関連キーワード "RN113"

品番 メーカー 説明
RN1130MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TRANSISTOR PREBIAS NPN 0.15W VESM
RN1131MFV(TL3,T) Toshiba Semiconductor and Storage TRANSISTOR PREBIAS NPN 0.15W VESM
RN1132MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M