Número de pieza del fabricanteRN1131MFV(TL3,T)
Fabricante / MarcaToshiba Semiconductor and Storage
Cantidad disponible111020 Pieces
Precio unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descripciónTRANSISTOR PREBIAS NPN 0.15W VESM
categoria de productoTransistores - Bipolar (BJT) - Simple, prepolarizados
Estado sin plomo / estado de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
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Número de pieza
RN1131MFV(TL3,T)
Estado de producción (ciclo de vida)
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Fabricante plazo de ejecución
6-8 weeks
Condición
New & Unused, Original Sealed
forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Estado de la pieza
Active
Tipo de transistor
NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo)
50V
Resistor - Base (R1)
100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
-
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 5mA
Corriente - corte de colector (máximo)
100nA (ICBO)
Frecuencia - Transición
-
Potencia - Max
150mW
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / caja
SOT-723
Paquete de dispositivo del proveedor
VESM
Peso
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Solicitud
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Repuesto
RN1131MFV(TL3,T)

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Número de pieza Fabricante Descripción
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