codice articolo del costruttoreSIDR622DP-T1-GE3
Produttore / MarcaVishay Siliconix
quantité disponible110140 Pieces
Prezzo unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descrizioneMOSFET N-CHAN 150V
categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Stato senza piombo / Stato RoHSLead free / RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati SIDR622DP-T1-GE3.pdf

Si prega di compilare il modulo di richiesta sottostante, ti risponderemo per il preventivo SIDR622DP-T1-GE3 entro 24 ore.

Numero di parte
SIDR622DP-T1-GE3
Stato di produzione (ciclo di vita)
Contact us
Tempo di consegna del produttore
6-8 weeks
Condizione
New & Unused, Original Sealed
Modo di spedizione
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Stato parte
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
150V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
64.6A (Ta), 56.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17.7 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
41nC @ 10V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1516pF @ 75V
Caratteristica FET
-
Dissipazione di potenza (max)
6.25W (Ta), 125W (Tc)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerPAK® SO-8DC
Pacchetto / caso
PowerPAK® SO-8
Peso
Contact us
Applicazione
Email for details
Pezzo di ricambio
SIDR622DP-T1-GE3

Componenti correlati realizzati da Vishay Siliconix

Parole chiave correlate per "SIDR6"

Numero di parte fabbricante Descrizione
SIDR610DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CHAN 200V PPAK SO-8DC
SIDR622DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CHAN 150V
SIDR626DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CHAN 60V
SIDR638DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 100A SO-8
SIDR668DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V
SIDR680DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 80V