Número de pieza del fabricanteSIDR622DP-T1-GE3
Fabricante / MarcaVishay Siliconix
Cantidad disponible110140 Pieces
Precio unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descripciónMOSFET N-CHAN 150V
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Simple
Estado sin plomo / estado de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
Descargar hoja de datos SIDR622DP-T1-GE3.pdf

Por favor complete el siguiente formulario de consulta, le responderemos la cotización de SIDR622DP-T1-GE3 en 24 horas.

Número de pieza
SIDR622DP-T1-GE3
Estado de producción (ciclo de vida)
Contact us
Fabricante plazo de ejecución
6-8 weeks
Condición
New & Unused, Original Sealed
forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Estado de la pieza
Active
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)
150V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
64.6A (Ta), 56.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17.7 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
41nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1516pF @ 75V
Característica FET
-
Disipación de potencia (Máx)
6.25W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor
PowerPAK® SO-8DC
Paquete / caja
PowerPAK® SO-8
Peso
Contact us
Solicitud
Email for details
Repuesto
SIDR622DP-T1-GE3

Componentes relacionados hechos por Vishay Siliconix

Palabras clave relacionadas para "SIDR6"

Número de pieza Fabricante Descripción
SIDR610DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CHAN 200V PPAK SO-8DC
SIDR622DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CHAN 150V
SIDR626DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CHAN 60V
SIDR638DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 100A SO-8
SIDR668DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V
SIDR680DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 80V