SI3879DV-T1-GE3 Vishay Siliconix дистрибьютор
| Номер детали производителя | SI3879DV-T1-GE3 |
|---|---|
| Производитель / Марка | Vishay Siliconix |
| Доступное количество | 119640 Pieces |
| Цена за единицу | Quote by Email ([email protected]) |
| Краткое описание | MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Lead free / RoHS Compliant |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Срок поставки | 1-2 Days |
| Код даты (D / C) | New |
| Скачать спецификацию | SI3879DV-T1-GE3.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение SI3879DV-T1-GE3 в течение 24 часов.
- номер части
- SI3879DV-T1-GE3
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Contact us
- Время выполнения производителя
- 6-8 weeks
- Состояние
- New & Unused, Original Sealed
- Способ доставки
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Статус детали
- Obsolete
- Тип полевого транзистора
- P-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 20V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 5A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 2.5V, 4.5V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 70 mOhm @ 3.5A, 4.5V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 1.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 14.5nC @ 10V
- Vgs (Макс.)
- ±12V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 480pF @ 10V
- Функция FET
-
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 2W (Ta), 3.3W (Tc)
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип монтажа
- Surface Mount
- Пакет устройств поставщика
- 6-TSOP
- Упаковка / чехол
- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Вес
- Contact us
- заявка
- Email for details
- Сменная часть
- SI3879DV-T1-GE3
Связанные компоненты сделаны Vishay Siliconix
-
-
-
-
-
-
VISHAYLow Profile 3mm DC/DC Buck Converter 0.8V to 4.5V, 3A with 380W/in3 Power Density Efficiency up to 95% -
-
-
-
Связанные ключевые слова "SI387"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| SI3871DV | VISHAY | SI3871DV original vishay components |
| SI3871DV-T1-E3 | VISHAY | SI3871DV-T1-E3 original vishay components |
| Si3871DV-T1-GE3 | VISHAY | Si3871DV-T1-GE3 original vishay components |
| SI3872 | VISHAY | SI3872 original vishay components |
| SI3872DV | VISHAY | SI3872DV original vishay components |
| SI3872DV-T1 | VISHAY | SI3872DV-T1 original vishay components |
| SI3872DV-T1-GE3 | VISHAY | SI3872DV-T1-GE3 original vishay components |
| SI3872DVT1 | VISHAY | SI3872DVT1 original vishay components |
| SI3879DV | VISHAY | P-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SI3879DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP |
| SI3879DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP |