TK33S10N1Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage дистрибьютор
| Номер детали производителя | TK33S10N1Z,LQ |
|---|---|
| Производитель / Марка | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Доступное количество | 165920 Pieces |
| Цена за единицу | Quote by Email ([email protected]) |
| Краткое описание | MOSFET N-CH 100V 33A DPAK |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Lead free / RoHS Compliant |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Срок поставки | 1-2 Days |
| Код даты (D / C) | New |
| Скачать спецификацию | TK33S10N1Z,LQ.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение TK33S10N1Z,LQ в течение 24 часов.
- номер части
- TK33S10N1Z,LQ
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Contact us
- Время выполнения производителя
- 6-8 weeks
- Состояние
- New & Unused, Original Sealed
- Способ доставки
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Статус детали
- Active
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 100V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 33A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 9.7 mOhm @ 16.5A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 500µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 28nC @ 10V
- Vgs (Макс.)
- ±20V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 2050pF @ 10V
- Функция FET
-
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 125W (Tc)
- Рабочая Температура
- 175°C (TJ)
- Тип монтажа
- Surface Mount
- Пакет устройств поставщика
- DPAK+
- Упаковка / чехол
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Вес
- Contact us
- заявка
- Email for details
- Сменная часть
- TK33S10N1Z,LQ
Связанные компоненты сделаны Toshiba Semiconductor and Storage
,%20SC-88A,%20SOT-353.jpg "TC7SET34FU,LJ(CB")
Связанные ключевые слова "TK33"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| TK33S10N1Z,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 100V 33A DPAK |