SSM6P35FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage дистрибьютор
| Номер детали производителя | SSM6P35FE(TE85L,F) |
|---|---|
| Производитель / Марка | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Доступное количество | 172780 Pieces |
| Цена за единицу | Quote by Email ([email protected]) |
| Краткое описание | MOSFET 2P-CH 20V 0.1A ES6 |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Lead free / RoHS Compliant |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Срок поставки | 1-2 Days |
| Код даты (D / C) | New |
| Скачать спецификацию | SSM6P35FE(TE85L,F).pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение SSM6P35FE(TE85L,F) в течение 24 часов.
- номер части
- SSM6P35FE(TE85L,F)
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Contact us
- Время выполнения производителя
- 6-8 weeks
- Состояние
- New & Unused, Original Sealed
- Способ доставки
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Статус детали
- Active
- Тип полевого транзистора
- 2 P-Channel (Dual)
- Функция FET
- Logic Level Gate
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 20V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 100mA
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 8 Ohm @ 50mA, 4V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 1V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
-
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 12.2pF @ 3V
- Мощность - макс.
- 150mW
- Рабочая Температура
- 150°C (TJ)
- Тип монтажа
- Surface Mount
- Упаковка / чехол
- SOT-563, SOT-666
- Пакет устройств поставщика
- ES6 (1.6x1.6)
- Вес
- Contact us
- заявка
- Email for details
- Сменная часть
- SSM6P35FE(TE85L,F)
Связанные компоненты сделаны Toshiba Semiconductor and Storage
%20SC2.jpg "JDP2S08SC(TPL3)")
Связанные ключевые слова "SSM6P3"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| SSM6P35FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2P-CH 20V 0.1A ES6 |
| SSM6P36FE,LM | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2P-CH 20V 0.33A ES6 |