Номер детали производителяGH04P21A2GE
Производитель / МаркаSharp Microelectronics
Доступное количество130130 Pieces
Цена за единицуQuote by Email ([email protected])
Краткое описаниеLASER DIODE 406NM 105MW TO18
Категория продуктаЛазерные диоды
Бессвинцовый статус / RoHS СтатусLead free / RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (Unlimited)
Срок поставки1-2 Days
Код даты (D / C)New
Скачать спецификацию GH04P21A2GE.pdf

Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение GH04P21A2GE в течение 24 часов.

номер части
GH04P21A2GE
Состояние производства (жизненный цикл)
Contact us
Время выполнения производителя
6-8 weeks
Состояние
New & Unused, Original Sealed
Способ доставки
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Статус детали
Obsolete
длина волны
406nm
Напряжение - вход
5.4V
Текущий рейтинг
150mA
Мощность (Вт)
105mW
Упаковка / чехол
Radial, Can, 3 Lead (5.6mm, TO-18)
Вес
Contact us
заявка
Email for details
Сменная часть
GH04P21A2GE

Связанные компоненты сделаны Sharp Microelectronics

Связанные ключевые слова "GH0"

номер части производитель Описание
GH0358821MA6N AVX Corporation Capacitor Ceramic 820PF 50V X7R NONSTND
GH04020B2A Sharp Microelectronics LASER DIODE 406NM 20MW TO18
GH04125A2A Sharp Microelectronics LASER DIODE 406NM 130MW TO18
GH04P21A2GE Sharp Microelectronics LASER DIODE 406NM 105MW TO18
GH06507B2A Sharp Microelectronics LASER DIODE 654NM 7MW TO18
GH06510B2A Sharp Microelectronics LASER DIODE 654NM 10MW TO18
GH06550B2B Sharp Microelectronics LASER DIODE 654NM 50MW TO18
GH06560B2C Sharp Microelectronics LASER DIODE 658NM 60MW TO18
GH0781JA2C Sharp Microelectronics LASER DIODE 784NM 120MW TO18