номер части Производитель / Марка Краткое описание Статус деталиУправляемая конфигурацияТип каналаКоличество драйверовТип воротНапряжение - ПоставкаНапряжение логики - VIL, VIHТекущий - пиковый выход (источник, раковина)Тип вводаВысокое боковое напряжение - макс (бутстрап)Время нарастания / падения (Тип)Рабочая ТемператураТип монтажаУпаковка / чехолПакет устройств поставщика
Infineon Technologies IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 10DFN ObsoleteHalf-BridgeSynchronous2N-Channel MOSFET4.5 V ~ 5.5 V0.8V, 1V2A, 2ANon-Inverting35V10ns, 8ns-40°C ~ 125°C (TJ)Surface Mount10-VFDFN Exposed Pad10-DFN (3x3)
Infineon Technologies IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 10DFN ObsoleteHalf-BridgeSynchronous2N-Channel MOSFET4.5 V ~ 5.5 V0.8V, 1V2A, 2ANon-Inverting35V10ns, 8ns-40°C ~ 125°C (TJ)Surface Mount10-VFDFN Exposed Pad10-DFN (3x3)
Maxim Integrated IC MOSFET DVR NOTEBOOK ActiveHalf-BridgeSynchronous2N-Channel MOSFET4.2 V ~ 5.5 V
-
2A, 2.7ANon-Inverting24V10ns, 8ns-40°C ~ 150°C (TJ)Surface Mount8-WQFN Exposed Pad8-TQFN (3x3)
Maxim Integrated IC MOSFET DRIVER 8-TQFN ActiveHalf-BridgeSynchronous2N-Channel MOSFET4.2 V ~ 5.5 V
-
2.2A, 2.7ANon-Inverting
-
10ns, 8ns-40°C ~ 150°C (TJ)Surface Mount8-WQFN Exposed Pad8-TQFN-EP
Maxim Integrated IC MOSFET DRIVER 8-TQFN Not For New DesignsHalf-BridgeSynchronous2N-Channel MOSFET4.2 V ~ 5.5 V
-
2.2A, 2.7ANon-Inverting
-
10ns, 8ns-40°C ~ 150°C (TJ)Surface Mount8-WQFN Exposed Pad8-TQFN-EP