Номер детали производителяPTAB182002TCV2R250XTMA1
Производитель / МаркаInfineon Technologies
Доступное количество18780 Pieces
Цена за единицуQuote by Email ([email protected])
Краткое описаниеIC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4
Категория продуктаТранзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
Бессвинцовый статус / RoHS СтатусLead free / RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (Unlimited)
Срок поставки1-2 Days
Код даты (D / C)New
Скачать спецификацию PTAB182002TCV2R250XTMA1.pdf

Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение PTAB182002TCV2R250XTMA1 в течение 24 часов.

номер части
PTAB182002TCV2R250XTMA1
Состояние производства (жизненный цикл)
Contact us
Время выполнения производителя
6-8 weeks
Состояние
New & Unused, Original Sealed
Способ доставки
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Статус детали
Obsolete
Тип транзистора
LDMOS
частота
1.805GHz ~ 1.88GHz
Усиление
14.8dB
Напряжение - испытание
28V
Текущий рейтинг
10µA
Коэффициент шума
-
Текущий - Тест
520mA
Выходная мощность
29W
Напряжение - Номинальное напряжение
65V
Упаковка / чехол
H-49248H-4
Пакет устройств поставщика
H-49248H-4
Вес
Contact us
заявка
Email for details
Сменная часть
PTAB182002TCV2R250XTMA1

Связанные компоненты сделаны Infineon Technologies

Связанные ключевые слова "PTAB182"

номер части производитель Описание
PTAB182002FC-V1-R0 Cree/Wolfspeed IC RF FET LDMOS 190W H-37248-4
PTAB182002FC-V1-R250 Cree/Wolfspeed IC AMP RF LDMOS
PTAB182002TCV2R250XTMA1 Infineon Technologies IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4
PTAB182002TCV2R250XUMA1 Infineon Technologies IC AMP RF LDMOS
PTAB182002TCV2XWSA1 Infineon Technologies IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4