номер части

IPD5N25S3430ATMA1

Состояние производства (жизненный цикл)

Contact us

Время выполнения производителя

6-8 weeks

Состояние

New & Unused, Original Sealed

Способ доставки

DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post

Статус детали

Active

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Слив к источнику напряжения (Vdss)

250V

Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

5A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Макс.) @ Id, Vgs

430 mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 13µA

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

6.2nC @ 10V

Vgs (Макс.)

±20V

Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds

422pF @ 25V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

41W (Tc)

Рабочая Температура

-55°C ~ 175°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет устройств поставщика

PG-TO252-3-313

Упаковка / чехол

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вес

Contact us

заявка

Email for details

Сменная часть

IPD5N25S3430ATMA1