IPB065N10N3GATMA1 Infineon Technologies дистрибьютор
| Номер детали производителя | IPB065N10N3GATMA1 |
|---|---|
| Производитель / Марка | Infineon Technologies |
| Доступное количество | 82020 Pieces |
| Цена за единицу | Quote by Email ([email protected]) |
| Краткое описание | MOSFET N-CH TO263-3 |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Lead free / RoHS Compliant |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Срок поставки | 1-2 Days |
| Код даты (D / C) | New |
| Скачать спецификацию | IPB065N10N3GATMA1.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение IPB065N10N3GATMA1 в течение 24 часов.
- номер части
- IPB065N10N3GATMA1
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Contact us
- Время выполнения производителя
- 6-8 weeks
- Состояние
- New & Unused, Original Sealed
- Способ доставки
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Статус детали
- Active
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 100V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 80A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 6V, 10V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 6.5 mOhm @ 80A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 3.5V @ 90µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 64nC @ 10V
- Vgs (Макс.)
- ±20V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 4910pF @ 50V
- Функция FET
-
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 150W (Tc)
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Тип монтажа
- Surface Mount
- Пакет устройств поставщика
- D²PAK (TO-263AB)
- Упаковка / чехол
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Вес
- Contact us
- заявка
- Email for details
- Сменная часть
- IPB065N10N3GATMA1
Связанные компоненты сделаны Infineon Technologies
;;3.jpg "IRLU3705ZPBF")
Связанные ключевые слова "IPB06"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| IPB060N15N5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 136A TO263-7 |
| IPB065N03LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3 |
| IPB065N06L G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK |
| IPB065N10N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 |
| IPB065N15N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7 |
| IPB065N15N3GE8187ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7 |
| IPB067N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3 |
| IPB06CN10N G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3 |
| IPB06N03LA | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK |
| IPB06N03LA G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK |
| IPB06N03LAT | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK |
| IPB06N03LB | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK |