Номер детали производителяBSM35GB120DN2HOSA1
Производитель / МаркаInfineon Technologies
Доступное количество147150 Pieces
Цена за единицуQuote by Email ([email protected])
Краткое описаниеIGBT 2 MED POWER 34MM-1
Категория продуктаТранзисторы - IGBT - Модули
Бессвинцовый статус / RoHS СтатусLead free / RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (Unlimited)
Срок поставки1-2 Days
Код даты (D / C)New
Скачать спецификацию BSM35GB120DN2HOSA1.pdf

Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение BSM35GB120DN2HOSA1 в течение 24 часов.

номер части
BSM35GB120DN2HOSA1
Состояние производства (жизненный цикл)
Contact us
Время выполнения производителя
6-8 weeks
Состояние
New & Unused, Original Sealed
Способ доставки
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Статус детали
Not For New Designs
Тип IGBT
-
конфигурация
Half Bridge
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)
1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)
50A
Мощность - макс.
280W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic
3.2V @ 15V, 35A
Ток - отсечка коллектора (макс.)
1mA
Входная емкость (Cies) @ Vce
2nF @ 25V
вход
Standard
Термистор NTC
No
Рабочая Температура
150°C (TJ)
Тип монтажа
Chassis Mount
Упаковка / чехол
Module
Пакет устройств поставщика
Module
Вес
Contact us
заявка
Email for details
Сменная часть
BSM35GB120DN2HOSA1

Связанные компоненты сделаны Infineon Technologies

Связанные ключевые слова "BSM35G"

номер части производитель Описание
BSM35GB120DN2HOSA1 Infineon Technologies IGBT 2 MED POWER 34MM-1
BSM35GD120DLCE3224BOSA1 Infineon Technologies IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
BSM35GD120DN2E3224BOSA1 Infineon Technologies IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
BSM35GP120BOSA1 Infineon Technologies IGBT MODULE 1200V 35A
BSM35GP120GBOSA1 Infineon Technologies IGBT 2 LOW POWER ECONO3-3