DMT10H010LCT Diodes Incorporated дистрибьютор
| Номер детали производителя | DMT10H010LCT |
|---|---|
| Производитель / Марка | Diodes Incorporated |
| Доступное количество | 182470 Pieces |
| Цена за единицу | Quote by Email ([email protected]) |
| Краткое описание | MOSFET N-CH 100V TO220AB |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Lead free / RoHS Compliant |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Срок поставки | 1-2 Days |
| Код даты (D / C) | New |
| Скачать спецификацию | DMT10H010LCT.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение DMT10H010LCT в течение 24 часов.
- номер части
- DMT10H010LCT
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Contact us
- Время выполнения производителя
- 6-8 weeks
- Состояние
- New & Unused, Original Sealed
- Способ доставки
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Статус детали
- Active
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 100V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 98A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 9.5 mOhm @ 13A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 3V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 71nC @ 10V
- Vgs (Макс.)
- ±20V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 3000pF @ 50V
- Функция FET
-
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 2W (Ta), 139W (Tc)
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Тип монтажа
- Through Hole
- Пакет устройств поставщика
- TO-220AB
- Упаковка / чехол
- TO-220-3
- Вес
- Contact us
- заявка
- Email for details
- Сменная часть
- DMT10H010LCT
Связанные компоненты сделаны Diodes Incorporated
%20Exposed%20Pad.jpg "AL9910ASP-13")
,TO-226_straightlead.jpg "ZVN4306AV")
Связанные ключевые слова "DMT1"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| DMT10H010LCT | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V TO220AB |
| DMT10H010LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252 |
| DMT10H010LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 9.4A |
| DMT10H010LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V SO-8 |
| DMT10H010SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8 |
| DMT10H014LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 8.9A 8SO |
| DMT10H015LCG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN |
| DMT10H015LCG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN |
| DMT10H015LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 10A |
| DMT10H015LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 10A |
| DMT10H015LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CHANNEL 100V 50A TO252 |
| DMT10H015LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 7.3A |