Número da peça do fabricanteTPH2R306NH,L1Q
Fabricante / MarcaToshiba Semiconductor and Storage
Quantidade disponível165090 Pieces
Preço unitárioQuote by Email ([email protected])
Descrição breveMOSFET N CH 60V 60A SOP ADV
Categoria de ProdutoTransistores - FETs, MOSFETs - Single
Status sem chumbo / status de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega1-2 Days
Código de Data (D / C)New
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Número da peça
TPH2R306NH,L1Q
Status de produção (ciclo de vida)
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Tempo de espera do fabricante
6-8 weeks
Condição
New & Unused, Original Sealed
Forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Status da Parte
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.3 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
72nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
6100pF @ 30V
FET Feature
-
Dissipação de energia (máx.)
1.6W (Ta), 78W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos de fornecedores
8-SOP Advance (5x5)
Pacote / Caso
8-PowerVDFN
Peso
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Aplicação
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Peça de reposição
TPH2R306NH,L1Q

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