MT3S111P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Distribuidor
| Número da peça do fabricante | MT3S111P(TE12L,F) |
|---|---|
| Fabricante / Marca | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Quantidade disponível | 179650 Pieces |
| Preço unitário | Quote by Email ([email protected]) |
| Descrição breve | RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N |
| Categoria de Produto | Transistores - Bipolar (BJT) - RF |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de Data (D / C) | New |
| Download da folha de dados | MT3S111P(TE12L,F).pdf |
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- Número da peça
- MT3S111P(TE12L,F)
- Status de produção (ciclo de vida)
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- Tempo de espera do fabricante
- 6-8 weeks
- Condição
- New & Unused, Original Sealed
- Forma de envio
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Status da Parte
- Active
- Tipo de transistor
- NPN
- Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.)
- 6V
- Frequência - Transição
- 8GHz
- Figura de ruído (dB Typ @ f)
- 1.25dB @ 1GHz
- Ganho
- 10.5dB
- Power - Max
- 1W
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
- 200 @ 30mA, 5V
- Current - Collector (Ic) (Max)
- 100mA
- Temperatura de operação
- 150°C (TJ)
- Tipo de montagem
- Surface Mount
- Pacote / Caso
- TO-243AA
- Pacote de dispositivos de fornecedores
- PW-MINI
- Peso
- Contact us
- Aplicação
- Email for details
- Peça de reposição
- MT3S111P(TE12L,F)
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