IPB049N06L3GATMA1 Infineon Technologies Distribuidor
| Número da peça do fabricante | IPB049N06L3GATMA1 |
|---|---|
| Fabricante / Marca | Infineon Technologies |
| Quantidade disponível | 46880 Pieces |
| Preço unitário | Quote by Email ([email protected]) |
| Descrição breve | MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 |
| Categoria de Produto | Transistores - FETs, MOSFETs - Single |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de Data (D / C) | New |
| Download da folha de dados | IPB049N06L3GATMA1.pdf |
Por favor preencha o formulário de inquérito abaixo, nós responderemos a cotação para IPB049N06L3GATMA1 dentro de 24 horas.
- Número da peça
- IPB049N06L3GATMA1
- Status de produção (ciclo de vida)
- Contact us
- Tempo de espera do fabricante
- 6-8 weeks
- Condição
- New & Unused, Original Sealed
- Forma de envio
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Status da Parte
- Obsolete
- Tipo FET
- N-Channel
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
- 60V
- Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
- 80A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 4.7 mOhm @ 80A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 2.2V @ 58µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 50nC @ 4.5V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 8400pF @ 30V
- FET Feature
-
- Dissipação de energia (máx.)
- 115W (Tc)
- Temperatura de operação
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Tipo de montagem
- Surface Mount
- Pacote de dispositivos de fornecedores
- D²PAK (TO-263AB)
- Pacote / Caso
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Peso
- Contact us
- Aplicação
- Email for details
- Peça de reposição
- IPB049N06L3GATMA1
Componentes relacionados feitos por Infineon Technologies
Palavras-chave relacionadas para "IPB04"
| Número da peça | Fabricante | Descrição |
|---|---|---|
| IPB041N04NGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3 |
| IPB042N03LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 70A TO-263-3 |
| IPB042N10N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3 |
| IPB042N10N3GE8187ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3 |
| IPB044N15N5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7 |
| IPB048N06LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A TO-263 |
| IPB048N15N5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3 |
| IPB048N15N5LFATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3 |
| IPB049N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 |
| IPB049N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V TO263-3 |
| IPB049NE7N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3 |
| IPB04N03LA | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK |