제조 업체 트랜지스터 - 양극(BJT) - 어레이, 프리 바이어스드
| 부품 번호 | 제조업체 / 브랜드 | 간단한 설명 | 부품 상태 | 트랜지스터 유형 | 전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) | 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | Resistor - Base (R1) | Resistor - Emitter Base (R2) | DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic | 전류 - 콜렉터 차단 (최대) | 빈도 - 전환 | 전력 - 최대 | 실장 형 | 패키지 / 케이스 | 공급 업체 장치 패키지 |
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| Toshiba Semiconductor and Storage | TRANSISTOR 2PNP PREBIAS 0.1W ESV | Active | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) | 100mA | 50V | 22 kOhms | 22 kOhms | 70 @ 10mA, 5V | 300mV @ 250µA, 5mA | 100nA (ICBO) | 200MHz | 100mW | Surface Mount | SOT-553 | ESV |