Hersteller für Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, mit Vorspannung
| Artikelnummer | Hersteller / Marke | Kurze Beschreibung | Teilstatus | Transistor-Typ | Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | Resistor - Base (R1) | Resistor - Emitter Base (R2) | Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | Frequenz - Übergang | Leistung max | Befestigungsart | Paket / Fall | Lieferantengerätepaket |
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| Toshiba Semiconductor and Storage | TRANSISTOR 2PNP PREBIAS 0.1W ESV | Active | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) | 100mA | 50V | 22 kOhms | 22 kOhms | 70 @ 10mA, 5V | 300mV @ 250µA, 5mA | 100nA (ICBO) | 200MHz | 100mW | Surface Mount | SOT-553 | ESV |