SIS110DN-T1-GE3 Vishay Siliconix 配給業者
| 製造業者識別番号 | SIS110DN-T1-GE3 |
|---|---|
| メーカー/ブランド | Vishay Siliconix |
| 利用可能な数量 | 69840 Pieces |
| 単価 | Quote by Email ([email protected]) |
| 簡単な説明 | MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212 |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 耐湿性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | SIS110DN-T1-GE3.pdf |
下記のお問い合わせフォームに記入してください、私たちはあなたに見積もりを返信します SIS110DN-T1-GE3 24時間以内に。
- 品番
- SIS110DN-T1-GE3
- 生産状況（ライフサイクル）
- Contact us
- メーカーリードタイム
- 6-8 weeks
- 調子
- New & Unused, Original Sealed
- 発送方法
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- 部品ステータス
- Active
- FETタイプ
- N-Channel
- 技術
- MOSFET (Metal Oxide)
- ドレイン - ソース間電圧（Vdss）
- 100V
- 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
- 5.2A (Ta), 14.2A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 7.5V, 10V
- Rds On（Max）@ Id、Vgs
- 54 mOhm @ 4A, 10V
- Vgs（th）（Max）@ Id
- 4V @ 250µA
- ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs
- 13nC @ 10V
- Vgs（最大）
- ±20V
- 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
- 550pF @ 50V
- FET機能
-
- 消費電力（最大）
- 3.2W (Ta), 24W (Tc)
- 動作温度
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- 取付タイプ
- Surface Mount
- サプライヤデバイスパッケージ
- PowerPAK® 1212-8
- パッケージ/ケース
- PowerPAK® 1212-8
- 重量
- Contact us
- 応用
- Email for details
- 交換部品
- SIS110DN-T1-GE3
によって作られた関連部品 Vishay Siliconix
-
-
-
-
-
-
VISHAYWet Tantalum Capacitors Tantalum-Case with Glass-to-Tantalum Hermetic Seal for - 55 ∑C to + 200 ∑C Operation -
-
-
-
.jpg "PHP00805E4322BBT1")
.JPG "VY2330K29U2JS6UV7")
関連キーワード "SIS11"
| 品番 | メーカー | 説明 |
|---|---|---|
| SIS110DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212 |