製造業者識別番号SIB410DK-T1-GE3
メーカー/ブランドVishay Siliconix
利用可能な数量173050 Pieces
単価Quote by Email ([email protected])
簡単な説明MOSFET N-CH 30V 9A 8SO
製品カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - シングル
鉛フリーステータス/ RoHSステータスLead free / RoHS Compliant
耐湿性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード SIB410DK-T1-GE3.pdf

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品番
SIB410DK-T1-GE3
生産状況(ライフサイクル)
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メーカーリードタイム
6-8 weeks
調子
New & Unused, Original Sealed
発送方法
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss)
30V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id)
9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id、Vgs
42 mOhm @ 3.8A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@ Id
1V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs
15nC @ 8V
Vgs(最大)
±8V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds
560pF @ 15V
FET機能
-
消費電力(最大)
2.5W (Ta), 13W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ
PowerPAK® SC-75-6L Single
パッケージ/ケース
PowerPAK® SC-75-6L
重量
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応用
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交換部品
SIB410DK-T1-GE3

によって作られた関連部品 Vishay Siliconix

関連キーワード "SIB41"

品番 メーカー 説明
SIB410DK-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 9A 8SO
SIB411DK-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6
SIB411DK-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6L
SIB412DK-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6
SIB412DK-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6
SIB413DK-T1-E3 VISHAY SIB413DK-T1-E3 original vishay components
SIB413DK-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6
SIB414DK-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 8V 9A PPAK SC75-6
SIB414DKT1E3 VISHAY SIB414DKT1E3 original vishay components
SIB415DK-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 9A SC75-6
SIB417AEDK-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 8V 9A PWRPACK
SIB417DK-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6