SI2399DS-T1-GE3 Vishay Siliconix 配給業者
| 製造業者識別番号 | SI2399DS-T1-GE3 |
|---|---|
| メーカー/ブランド | Vishay Siliconix |
| 利用可能な数量 | 169480 Pieces |
| 単価 | Quote by Email ([email protected]) |
| 簡単な説明 | MOSFET P-CH 20V 6A SOT-23 |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 耐湿性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | SI2399DS-T1-GE3.pdf |
下記のお問い合わせフォームに記入してください、私たちはあなたに見積もりを返信します SI2399DS-T1-GE3 24時間以内に。
- 品番
- SI2399DS-T1-GE3
- 生産状況（ライフサイクル）
- Contact us
- メーカーリードタイム
- 6-8 weeks
- 調子
- New & Unused, Original Sealed
- 発送方法
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- 部品ステータス
- Active
- FETタイプ
- P-Channel
- 技術
- MOSFET (Metal Oxide)
- ドレイン - ソース間電圧（Vdss）
- 20V
- 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
- 6A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 2.5V, 10V
- Rds On（Max）@ Id、Vgs
- 34 mOhm @ 5.1A, 10V
- Vgs（th）（Max）@ Id
- 1.5V @ 250µA
- ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs
- 20nC @ 4.5V
- Vgs（最大）
- ±12V
- 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
- 835pF @ 10V
- FET機能
-
- 消費電力（最大）
- 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
- 動作温度
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- 取付タイプ
- Surface Mount
- サプライヤデバイスパッケージ
- SOT-23-3 (TO-236)
- パッケージ/ケース
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 重量
- Contact us
- 応用
- Email for details
- 交換部品
- SI2399DS-T1-GE3
によって作られた関連部品 Vishay Siliconix
-1,30mm.jpg "CDR31BP270BKWRAB")
関連キーワード "SI239"
| 品番 | メーカー | 説明 |
|---|---|---|
| SI2392ADS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23 |
| SI2392DS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23 |
| SI2399DS | VISHAY | SI2399DS original vishay components |
| SI2399DS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 6A SOT-23 |