4GBL01 Vishay Semiconductor Diodes Division 配給業者
| 製造業者識別番号 | 4GBL01 |
|---|---|
| メーカー/ブランド | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 利用可能な数量 | 173670 Pieces |
| 単価 | Quote by Email ([email protected]) |
| 簡単な説明 | BRIDGE SGL PHASE 100V 4A 4-GBL |
| 製品カテゴリ | ダイオード - ブリッジ整流器 |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 耐湿性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | 4GBL01.pdf |
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- 品番
- 4GBL01
- 生産状況（ライフサイクル）
- Contact us
- メーカーリードタイム
- 6-8 weeks
- 調子
- New & Unused, Original Sealed
- 発送方法
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- 部品ステータス
- Obsolete
- ダイオードタイプ
- Three Phase
- 技術
- Standard
- 電圧 - ピークリバース（最大）
- 100V
- 電流 - 平均整流（Io）
- 4A
- 電圧 - フォワード（Vf）（最大）@ If
-
- 電流 - 逆リーク（Vr）
- 5µA @ 100V
- 動作温度
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- 取付タイプ
- Through Hole
- パッケージ/ケース
- 4-SIP, GBL
- サプライヤデバイスパッケージ
- GBL
- 重量
- Contact us
- 応用
- Email for details
- 交換部品
- 4GBL01
によって作られた関連部品 Vishay Semiconductor Diodes Division
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関連キーワード "4G"
| 品番 | メーカー | 説明 |
|---|---|---|
| 4G15EA51K00117 | Laird Technologies EMI | IO NICU NRS PU V0 REC |
| 4G20EA51H00425 | Laird Technologies EMI | IO NICU PTAFG PU V0 REC |
| 4G2M6 | STMicroelectronics | 4G2M6 STM IC SOP28 |
| 4G34AC51K00209 | Laird Technologies EMI | GK NICU NRS PU V0 DSH |
| 4G4408P1 | Texas Instruments （TI） | 4G4408P1 TI DIP IC |
| 4G55AB51G00199 | Laird Technologies EMI | GK NICU NRSG PU V0 DSH |
| 4G55AC51H01225 | Laird Technologies EMI | GK NICU PTAFG PU V0 DSH |
| 4G55AC51H01413 | Laird Technologies EMI | GK NICU PTAFG PU V0 DSH |
| 4G76EA51G01232 | Laird Technologies EMI | IO NICU NRSG PU V0 REC |
| 4G76EB51G01447 | Laird Technologies EMI | IO NICU NRSG PU V0 REC |
| 4G98EB51G00138 | Laird Technologies EMI | IO NICU NRSG PU V0 REC |
| 4GBL01 | Vishay Semiconductor Diodes Division | BRIDGE SGL PHASE 100V 4A 4-GBL |