製造業者識別番号TK040N65Z,S1F
メーカー/ブランドToshiba Semiconductor and Storage
利用可能な数量114280 Pieces
単価Quote by Email ([email protected])
簡単な説明PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
製品カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - シングル
鉛フリーステータス/ RoHSステータスLead free / RoHS Compliant
耐湿性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード TK040N65Z,S1F.pdf

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品番
TK040N65Z,S1F
生産状況(ライフサイクル)
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メーカーリードタイム
6-8 weeks
調子
New & Unused, Original Sealed
発送方法
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss)
650V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id)
57A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs
40 mOhm @ 28.5A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id
4V @ 2.85mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs
105nC @ 10V
Vgs(最大)
±30V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds
6250pF @ 300V
FET機能
-
消費電力(最大)
360W (Tc)
動作温度
150°C
取付タイプ
Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ
TO-247
パッケージ/ケース
TO-247-3
重量
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応用
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交換部品
TK040N65Z,S1F

によって作られた関連部品 Toshiba Semiconductor and Storage

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品番 メーカー 説明
TK040N65Z,S1F Toshiba Semiconductor and Storage PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-