2SJ668(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 配給業者
| 製造業者識別番号 | 2SJ668(TE16L1,NQ) |
|---|---|
| メーカー/ブランド | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 利用可能な数量 | 49730 Pieces |
| 単価 | Quote by Email ([email protected]) |
| 簡単な説明 | MOSFET P-CHANNEL 60V 5A PW-MOLD |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 耐湿性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | 2SJ668(TE16L1,NQ).pdf |
下記のお問い合わせフォームに記入してください、私たちはあなたに見積もりを返信します 2SJ668(TE16L1,NQ) 24時間以内に。
- 品番
- 2SJ668(TE16L1,NQ)
- 生産状況（ライフサイクル）
- Contact us
- メーカーリードタイム
- 6-8 weeks
- 調子
- New & Unused, Original Sealed
- 発送方法
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- 部品ステータス
- Active
- FETタイプ
- P-Channel
- 技術
- MOSFET (Metal Oxide)
- ドレイン - ソース間電圧（Vdss）
- 60V
- 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
- 5A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4V, 10V
- Rds On（Max）@ Id、Vgs
- 170 mOhm @ 2.5A, 10V
- Vgs（th）（Max）@ Id
- 2V @ 1mA
- ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs
- 15nC @ 10V
- Vgs（最大）
- ±20V
- 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
- 700pF @ 10V
- FET機能
-
- 消費電力（最大）
- 20W (Tc)
- 動作温度
- 150°C
- 取付タイプ
- Surface Mount
- サプライヤデバイスパッケージ
- PW-MOLD
- パッケージ/ケース
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 重量
- Contact us
- 応用
- Email for details
- 交換部品
- 2SJ668(TE16L1,NQ)
によって作られた関連部品 Toshiba Semiconductor and Storage
関連キーワード "2SJ66"
| 品番 | メーカー | 説明 |
|---|---|---|
| 2SJ661-1E | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 38A |
| 2SJ661-1EX | ON Semiconductor | MOSFET P-CH I2PAK |
| 2SJ661-DL-1E | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 38A |
| 2SJ661-DL-1EX | ON Semiconductor | MOSFET P-CH D2PAK |
| 2SJ661-DL-E | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 38A SMP-FD |
| 2SJ665-DL-1EX | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 100V 27A TO263 |
| 2SJ665-DL-E | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 100V 27A SMP-FD |
| 2SJ668(TE16L1,NQ) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CHANNEL 60V 5A PW-MOLD |