立ち上がり/立ち下がり時間（Typ） is 22ns, 15ns - PMIC - ゲートドライバ Distributor - IXDD609D2TR IXDD609SI IXDD609SIA

品番	メーカー/ブランド	簡単な説明	部品ステータス	駆動構成	チャネルタイプ	ドライバ数	ゲートタイプ	電圧 - 供給	ロジック電圧 - VIL、VIH	電流 - ピーク出力（ソース、シンク）	入力方式	ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ）	立ち上がり/立ち下がり時間（Typ）	動作温度	取付タイプ	パッケージ/ケース	サプライヤデバイスパッケージ
IXDD609D2TR	IXYS Integrated Circuits Division	IC GATE DVR 9A NON-INV 8DFN	Active	Low-Side	Single	1	IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET	4.5 V ~ 35 V	0.8V, 3V	9A, 9A	Non-Inverting	-	22ns, 15ns	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	8-VDFN Exposed Pad	8-DFN-EP (5x4)
IXDD609SI	IXYS Integrated Circuits Division	IC GATE DVR 9A NON-INV 8-SOIC	Active	Low-Side	Single	1	IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET	4.5 V ~ 35 V	0.8V, 3V	9A, 9A	Non-Inverting	-	22ns, 15ns	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad	8-SOIC-EP
IXDD609SIA	IXYS Integrated Circuits Division	IC GATE DVR 9A NON-INV 8-SOIC	Active	Low-Side	Single	1	IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET	4.5 V ~ 35 V	0.8V, 3V	9A, 9A	Non-Inverting	-	22ns, 15ns	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SOIC
IXDD609SIATR	IXYS Integrated Circuits Division	IC GATE DVR 9A NON-INV 8-SOIC	Active	Low-Side	Single	1	IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET	4.5 V ~ 35 V	0.8V, 3V	9A, 9A	Non-Inverting	-	22ns, 15ns	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SOIC
IXDI609SITR	IXYS Integrated Circuits Division	IC GATE DVR 9A NON-INV 8SOIC	Active	Low-Side	Single	1	IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET	4.5 V ~ 35 V	0.8V, 3V	9A, 9A	Inverting	-	22ns, 15ns	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad	8-SOIC-EP
IXDN609PI	IXYS Integrated Circuits Division	IC GATE DVR 9A NON-INV 8DIP	Active	Low-Side	Single	1	IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET	4.5 V ~ 35 V	0.8V, 3V	9A, 9A	Non-Inverting	-	22ns, 15ns	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	8-DIP (0.300", 7.62mm)	8-DIP
IXDN609SIATR	IXYS Integrated Circuits Division	IC GATE DVR 9A NON-INV 8SOIC	Active	Low-Side	Single	1	IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET	4.5 V ~ 35 V	0.8V, 3V	9A, 9A	Non-Inverting	-	22ns, 15ns	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SOIC
IXDN609SITR	IXYS Integrated Circuits Division	IC GATE DVR 9A NON-INV 8SOIC	Active	Low-Side	Single	1	IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET	4.5 V ~ 35 V	0.8V, 3V	9A, 9A	Non-Inverting	-	22ns, 15ns	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad	8-SOIC-EP

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