品番 メーカー/ブランド 簡単な説明 部品ステータスメモリの種類メモリフォーマット技術メモリー容量クロック周波数書き込みサイクル時間 - ワード、ページアクセス時間メモリインターフェイス電圧 - 供給動作温度取付タイプパッケージ/ケースサプライヤデバイスパッケージ
Micron Technology Inc. IC DRAM 16G PARALLEL 800MHZ ObsoleteVolatileDRAMSDRAM - Mobile LPDDR316Gb (128M x 128)800MHz
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Parallel1.14 V ~ 1.95 V-30°C ~ 85°C (TC)
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Micron Technology Inc. IC DRAM 16G PARALLEL 800MHZ ObsoleteVolatileDRAMSDRAM - Mobile LPDDR316Gb (256M x 64)800MHz
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Parallel1.14 V ~ 1.95 V-30°C ~ 85°C (TC)
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Micron Technology Inc. IC DRAM 16G PARALLEL 933MHZ ObsoleteVolatileDRAMSDRAM - Mobile LPDDR316Gb (256M x 64)933MHz
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Parallel1.14 V ~ 1.95 V-30°C ~ 85°C (TC)
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Micron Technology Inc. IC DRAM 16G PARALLEL 933MHZ ObsoleteVolatileDRAMSDRAM - Mobile LPDDR316Gb (256M x 64)933MHz
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Parallel1.14 V ~ 1.95 V-30°C ~ 85°C (TC)
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Micron Technology Inc. IC DRAM 16G PARALLEL 933MHZ ObsoleteVolatileDRAMSDRAM - Mobile LPDDR316Gb (256M x 64)933MHz
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Parallel1.14 V ~ 1.95 V-30°C ~ 85°C (TC)
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Micron Technology Inc. IC DRAM 16G PARALLEL 800MHZ ObsoleteVolatileDRAMSDRAM - Mobile LPDDR316Gb (512M x 32)800MHz
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Parallel1.14 V ~ 1.95 V-30°C ~ 85°C (TC)
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Micron Technology Inc. IC DRAM 16G PARALLEL 933MHZ ObsoleteVolatileDRAMSDRAM - Mobile LPDDR316Gb (512M x 32)933MHz
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Parallel1.14 V ~ 1.95 V-30°C ~ 85°C (TC)
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Micron Technology Inc. IC DRAM 16G PARALLEL 800MHZ ObsoleteVolatileDRAMSDRAM - Mobile LPDDR316Gb (256M x 64)800MHz
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Parallel1.14 V ~ 1.95 V-30°C ~ 85°C (TC)
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Micron Technology Inc. IC DRAM 32G 933MHZ FBGA ActiveVolatileDRAMSDRAM - Mobile LPDDR332Gb (1G x 32)933MHz
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1.2V-30°C ~ 85°C (TC)
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