Número de pieza Fabricante / Marca Breve descripción Estado de la piezaTipo de memoriaFormato de memoriaTecnologíaTamaño de la memoriaFrecuencia de relojEscribir tiempo de ciclo - Palabra, páginaTiempo de accesointerfaz de memoriaSuministro de voltajeTemperatura de funcionamientoTipo de montajePaquete / cajaPaquete de dispositivo del proveedor
Micron Technology Inc. IC DRAM 16G PARALLEL 800MHZ ObsoleteVolatileDRAMSDRAM - Mobile LPDDR316Gb (128M x 128)800MHz
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Parallel1.14 V ~ 1.95 V-30°C ~ 85°C (TC)
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Micron Technology Inc. IC DRAM 16G PARALLEL 800MHZ ObsoleteVolatileDRAMSDRAM - Mobile LPDDR316Gb (256M x 64)800MHz
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Parallel1.14 V ~ 1.95 V-30°C ~ 85°C (TC)
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Micron Technology Inc. IC DRAM 16G PARALLEL 933MHZ ObsoleteVolatileDRAMSDRAM - Mobile LPDDR316Gb (256M x 64)933MHz
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Parallel1.14 V ~ 1.95 V-30°C ~ 85°C (TC)
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Micron Technology Inc. IC DRAM 16G PARALLEL 933MHZ ObsoleteVolatileDRAMSDRAM - Mobile LPDDR316Gb (256M x 64)933MHz
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Parallel1.14 V ~ 1.95 V-30°C ~ 85°C (TC)
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Micron Technology Inc. IC DRAM 16G PARALLEL 933MHZ ObsoleteVolatileDRAMSDRAM - Mobile LPDDR316Gb (256M x 64)933MHz
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Parallel1.14 V ~ 1.95 V-30°C ~ 85°C (TC)
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Micron Technology Inc. IC DRAM 16G PARALLEL 800MHZ ObsoleteVolatileDRAMSDRAM - Mobile LPDDR316Gb (512M x 32)800MHz
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Parallel1.14 V ~ 1.95 V-30°C ~ 85°C (TC)
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Micron Technology Inc. IC DRAM 16G PARALLEL 933MHZ ObsoleteVolatileDRAMSDRAM - Mobile LPDDR316Gb (512M x 32)933MHz
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Parallel1.14 V ~ 1.95 V-30°C ~ 85°C (TC)
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Micron Technology Inc. IC DRAM 16G PARALLEL 800MHZ ObsoleteVolatileDRAMSDRAM - Mobile LPDDR316Gb (256M x 64)800MHz
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Parallel1.14 V ~ 1.95 V-30°C ~ 85°C (TC)
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Micron Technology Inc. IC DRAM 32G 933MHZ FBGA ActiveVolatileDRAMSDRAM - Mobile LPDDR332Gb (1G x 32)933MHz
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1.2V-30°C ~ 85°C (TC)
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