製造業者識別番号IPD105N03LGATMA1
メーカー/ブランドInfineon Technologies
利用可能な数量82520 Pieces
単価Quote by Email ([email protected])
簡単な説明MOSFET N-CH 30V 35A TO252-3
製品カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - シングル
鉛フリーステータス/ RoHSステータスLead free / RoHS Compliant
耐湿性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード IPD105N03LGATMA1.pdf

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品番
IPD105N03LGATMA1
生産状況(ライフサイクル)
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メーカーリードタイム
6-8 weeks
調子
New & Unused, Original Sealed
発送方法
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
部品ステータス
Obsolete
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss)
30V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id)
35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs
10.5 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id
2.2V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs
14nC @ 10V
Vgs(最大)
±20V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds
1500pF @ 15V
FET機能
-
消費電力(最大)
38W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ
PG-TO252-3
パッケージ/ケース
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
重量
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応用
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交換部品
IPD105N03LGATMA1

によって作られた関連部品 Infineon Technologies

関連キーワード "IPD10"

品番 メーカー 説明
IPD100N04S402ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3-313
IPD100N04S4L02ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CHANNEL_30/40V
IPD100N06S403ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
IPD100N06S403ATMA2 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
IPD105N03LGATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 35A TO252-3
IPD105N04LGBTMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 40A TO252-3
IPD10N03LA Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 30A DPAK
IPD10N03LA G Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 30A DPAK