製造業者識別番号F475R06W1E3BOMA1
メーカー/ブランドInfineon Technologies
利用可能な数量197780 Pieces
単価Quote by Email ([email protected])
簡単な説明IGBT MODULE VCES 600V 75A
製品カテゴリトランジスタ - IGBT - モジュール
鉛フリーステータス/ RoHSステータスLead free / RoHS Compliant
耐湿性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード F475R06W1E3BOMA1.pdf

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品番
F475R06W1E3BOMA1
生産状況(ライフサイクル)
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メーカーリードタイム
6-8 weeks
調子
New & Unused, Original Sealed
発送方法
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
部品ステータス
Active
IGBTタイプ
Trench Field Stop
構成
Three Phase Inverter
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大)
600V
電流 - コレクタ(Ic)(最大)
100A
電力 - 最大
275W
Vce(on)(Max)@ Vge、Ic
1.9V @ 15V, 75A
電流 - コレクタ遮断(最大)
1mA
入力容量(Cies)@ Vce
4.6nF @ 25V
入力
Standard
NTCサーミスタ
Yes
動作温度
-40°C ~ 150°C
取付タイプ
Chassis Mount
パッケージ/ケース
Module
サプライヤデバイスパッケージ
Module
重量
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応用
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交換部品
F475R06W1E3BOMA1

によって作られた関連部品 Infineon Technologies

関連キーワード "F475R"

品番 メーカー 説明
F475R06W1E3BOMA1 Infineon Technologies IGBT MODULE VCES 600V 75A
F475R07W1H3B11ABOMA1 Infineon Technologies IGBT MODULES
F475R07W2H3B51BOMA1 Infineon Technologies MOD DIODE BRIDGE EASY2B-2-1
F475R07W2H3B51BPSA1 Infineon Technologies MOD DIODE BRIDGE EASY2B-2-1
F475R12KS4B11BOSA1 Infineon Technologies IGBT MODULE VCES 600V 75A
F475R12KS4BOSA1 Infineon Technologies IGBT MODULE VCES 600V 75A