DF200R12W1H3B27BOMA1 Infineon Technologies 配給業者
| 製造業者識別番号 | DF200R12W1H3B27BOMA1 |
|---|---|
| メーカー/ブランド | Infineon Technologies |
| 利用可能な数量 | 139580 Pieces |
| 単価 | Quote by Email ([email protected]) |
| 簡単な説明 | IGBT MODULE VCES 1200V 200A |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - IGBT - モジュール |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 耐湿性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | DF200R12W1H3B27BOMA1.pdf |
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- 品番
- DF200R12W1H3B27BOMA1
- 生産状況（ライフサイクル）
- Contact us
- メーカーリードタイム
- 6-8 weeks
- 調子
- New & Unused, Original Sealed
- 発送方法
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- 部品ステータス
- Active
- IGBTタイプ
-
- 構成
- 2 Independent
- 電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大）
- 1200V
- 電流 - コレクタ（Ic）（最大）
- 30A
- 電力 - 最大
- 375W
- Vce（on）（Max）@ Vge、Ic
- 1.3V @ 15V, 30A
- 電流 - コレクタ遮断（最大）
- 1mA
- 入力容量（Cies）@ Vce
- 2nF @ 25V
- 入力
- Standard
- NTCサーミスタ
- Yes
- 動作温度
- -40°C ~ 150°C
- 取付タイプ
- Chassis Mount
- パッケージ/ケース
- Module
- サプライヤデバイスパッケージ
- Module
- 重量
- Contact us
- 応用
- Email for details
- 交換部品
- DF200R12W1H3B27BOMA1
によって作られた関連部品 Infineon Technologies
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関連キーワード "DF200R"
| 品番 | メーカー | 説明 |
|---|---|---|
| DF200R12KE3HOSA1 | Infineon Technologies | IGBT MODULE VCES 1200V 200A |
| DF200R12PT4B6BOSA1 | Infineon Technologies | IGBT MODULE VCES 1200V 200A |
| DF200R12W1H3B27BOMA1 | Infineon Technologies | IGBT MODULE VCES 1200V 200A |
| DF200R12W1H3FB11BOMA1 | Infineon Technologies | MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1 |