製造業者識別番号DMJ70H900HJ3
メーカー/ブランドDiodes Incorporated
利用可能な数量55090 Pieces
単価Quote by Email ([email protected])
簡単な説明MOSFET BVDSS 651V 800V TO251
製品カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - シングル
鉛フリーステータス/ RoHSステータスLead free / RoHS Compliant
耐湿性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード DMJ70H900HJ3.pdf

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品番
DMJ70H900HJ3
生産状況(ライフサイクル)
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メーカーリードタイム
6-8 weeks
調子
New & Unused, Original Sealed
発送方法
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss)
700V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id)
7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs
900 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id
4V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs
18.4nC @ 10V
Vgs(最大)
±30V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds
603pF @ 50V
FET機能
-
消費電力(最大)
68W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ
TO-251
パッケージ/ケース
TO-251-3, IPak, Short Leads
重量
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応用
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交換部品
DMJ70H900HJ3

によって作られた関連部品 Diodes Incorporated

関連キーワード "DMJ7"

品番 メーカー 説明
DMJ70H1D0SV3 Diodes Incorporated MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251
DMJ70H1D3SH3 Diodes Incorporated MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251
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DMJ7N70SK3-13 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 700V 3.9A