SIA436DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix Distributore
| codice articolo del costruttore | SIA436DJ-T1-GE3 |
|---|---|
| Produttore / Marca | Vishay Siliconix |
| quantité disponible | 141990 Pieces |
| Prezzo unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descrizione | MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6L |
| categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | SIA436DJ-T1-GE3.pdf |
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- Numero di parte
- SIA436DJ-T1-GE3
- Stato di produzione (ciclo di vita)
- Contact us
- Tempo di consegna del produttore
- 6-8 weeks
- Condizione
- New & Unused, Original Sealed
- Modo di spedizione
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Stato parte
- Active
- Tipo FET
- N-Channel
- Tecnologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 8V
- Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
- 12A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 1.2V, 4.5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 9.4 mOhm @ 15.7A, 4.5V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 800mV @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 25.2nC @ 5V
- Vgs (massimo)
- ±5V
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
- 1508pF @ 4V
- Caratteristica FET
-
- Dissipazione di potenza (max)
- 3.5W (Ta), 19W (Tc)
- temperatura di esercizio
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo di montaggio
- Surface Mount
- Pacchetto dispositivo fornitore
- PowerPAK® SC-70-6 Single
- Pacchetto / caso
- PowerPAK® SC-70-6
- Peso
- Contact us
- Applicazione
- Email for details
- Pezzo di ricambio
- SIA436DJ-T1-GE3
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| Numero di parte | fabbricante | Descrizione |
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| SIA430DJT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6 |
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| SIA432DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6 |
| SIA433EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 12A SC-70-6 |
| SIA433EDJ-TI-GE3 | VISHAY | SIA433EDJ-TI-GE3 original vishay components |
| SIA436DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6L |
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