SI5975DC-T1-GE3 Vishay Siliconix Distributore
| codice articolo del costruttore | SI5975DC-T1-GE3 |
|---|---|
| Produttore / Marca | Vishay Siliconix |
| quantité disponible | 104860 Pieces |
| Prezzo unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descrizione | MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET |
| categoria di prodotto | Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo di consegna | 1-2 Days |
| Data Code (D / C) | New |
| Scarica il foglio dati | SI5975DC-T1-GE3.pdf |
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- Numero di parte
- SI5975DC-T1-GE3
- Stato di produzione (ciclo di vita)
- Contact us
- Tempo di consegna del produttore
- 6-8 weeks
- Condizione
- New & Unused, Original Sealed
- Modo di spedizione
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Stato parte
- Obsolete
- Tipo FET
- 2 P-Channel (Dual)
- Caratteristica FET
- Logic Level Gate
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 12V
- Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
- 3.1A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 86 mOhm @ 3.1A, 4.5V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 450mV @ 1mA (Min)
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 9nC @ 4.5V
- Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
-
- Potenza - Max
- 1.1W
- temperatura di esercizio
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo di montaggio
- Surface Mount
- Pacchetto / caso
- 8-SMD, Flat Lead
- Pacchetto dispositivo fornitore
- 1206-8 ChipFET™
- Peso
- Contact us
- Applicazione
- Email for details
- Pezzo di ricambio
- SI5975DC-T1-GE3
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Parole chiave correlate per "SI597"
| Numero di parte | fabbricante | Descrizione |
|---|---|---|
| SI5975DC | VISHAY | Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
| SI5975DC-T1 | VISHAY | Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
| SI5975DC-T1 TEL:82766440 | VISHAY | SI5975DC-T1 TEL:82766440 original vishay components |
| SI5975DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET |
| SI5975DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET |
| SI5975DCT1 | VISHAY | SI5975DCT1 original vishay components |